Niebieskie przedsięwzięcie

 al. 2003-10-01

Strategiczny Program Rządowy „Rozwój niebieskiej optoelektroniki. Stworzenie technologicz-
nych i produkcyjnych podstaw nowej gałęzi przemysłu – niebieskiej optoelektroniki” ustanowiony przez Radę Ministrów w końcu 1998 roku i planowany do 2004 r. jest koordynowany przez Centrum Badań Wysokociśnieniowych PAN. Celem programu jest stworzenie podstaw nowej gałęzi przemysłu „high technology” w dziedzinie fizyki i technologii azotków: galu (GaN), glinu (AIN) i indu (InN) – półprzewodnikowych materiałów dla niebieskiej optoelektroniki, oraz wprowadzenie polskich produktów na tworzący się światowy rynek niebieskiej optoelektroniki.

Jednym z głównych zastosowań azotkowych przyrządów optoelektronicznych są energooszczędne i mające wielokrotnie dłuższy czas życia emitery światła o dowolnej barwie. Pozwalają one na konstruowanie zarówno miniaturowych monitorów, jak i kilkumetrowych tablic barwnych. W chwili obecnej produkcja niebieskich i zielonych diod elektroluminescencyjnych została zapoczątkowana w Japonii i USA, jednak na poziomie nie wystarczającym dla lawinowo rosnącego popytu na te przyrządy. Oceny ekonomiczne wskazują, że pomyślna realizacja programu wieloletniego doprowadzi do opanowania 1-2% rynku urządzeń wykorzystujących niebieską optoelektronikę. W roku 2008 rynek takich urządzeń może osiągnąć wartość ponad 100 mld USD.

Finansowanie prac badawczo-rozwojowych związanych z programem realizowane jest w ramach projektów celowych, ustanawianych przez KBN. Łączne nakłady na prace naukowe i badawczo-rozwojowe wyniosą 38,5 mln zł, w tym 28,9 mln zł ze środków budżetu państwa. Prace wdrożeniowe, finansowane ze środków własnych wykonawców i inwestorów zewnętrznych pochłoną 57,7 mln zł. Razem na program w okresie jego realizacji, tj. w latach 2000 – 2004, planowane są środki w wysokości 96,2 mln zł. W programie założono, że około 70% środków finansowych zaangażowanych w realizację programu będzie pochodziło od inwestorów prywatnych i ze środków własnych wykonawców.

Pierwsza faza programu została zrealizowana w 2001 roku z niepełnym uzyskaniem jednego z parametrów niebieskiego lasera, gdyż wymaga to przeprowadzenia dalszych prac badawczych w CBW PAN. Nie powinno to jednak mieć wpływu na końcowe rezultaty, jak i zgodne z terminem osiągnięcie celów założonych w programie. Druga faza programu, zgodnie z harmonogramem przyjętym przez Radę Ministrów, powinna być realizowana do I półrocza 2004 roku.

Program przewiduje równoległe prowadzenie prac nad technologią przyrządów (diody laserowe – CBWE PAN, detektory ultrafioletu ITME ) oraz nad technologią urządzeń wykorzystujących te przyrządy (koordynacja LUMEL).

W 2002 roku KBN zatwierdził finansowanie dwóch projektów celowych objętych programem wieloletnim. Jeden z nich, „Opracowanie technologii detektorów UV na bazie azotków” na kwotę 6327 tys. zł (z tego 4001 tys. zł w 2002 r.) realizowany jest przez ITME, drugi – „Uruchomienie produkcji lasera półprzewodnikowego emitującego światło niebieskie o mocy 50mW (GaN-InGaN) na podłożach z objętościowych kryształów GaN” – przez CBWE PAN na kwotę 3150 tys. zł (w części zadań przewidzianych do wykonania w 2002 roku i nadrobienie w tym czasie zaległości z fazy I programu).
Zakończenie zadań obu projektów celowych planowanych do realizacji w 2002 roku przewidywane jest do 31.03.br. Także w tym roku ma nastąpić (deklarowane przez głównego koordynatora na koniec ub.r.) wykonanie i przeprowadzenie testów 40 prototypów laserów o akcji ciągłej przez ponad 1 min. W kompleksowej informacji o realizacji programu w 2002 roku, jaka zostanie przedłożona w kwietniu, znajdzie się ocena stopnia realizacji zadań programu oraz rozliczenie poniesionych nakładów zarówno budżetowych, jak i pozabudżetowych.

W drugiej fazie realizacji programu obejmującej lata 2002-2004 planuje się:
· rozwój opracowanych technologii epitaksjalnych dla poprawy parametrów eksploatacyjnych przyrządów optoelektroniki niebieskiej i elektroniki wysokotemperaturowej;
· uruchomienie produkcji detektorów UV na bazie warstw azotku galu i aluminium;
· opracowanie konstrukcji technologii, uruchomienie produkcji źródeł światła w zakresie UV, niebieskim i zielonym (diody elektroluminescencyjne);
· uruchomienie produkcji źródeł światła spójnego w zakresie UV, niebieskim i zielonym (diody laserowe);
· wdrożenie i uruchomienie produkcji krajowej urządzeń wykorzystujących fotodetektory i półprzewodnikowe źródła światła UV, niebieskiego i zielonego oraz przyrządy elektroniki wysokotemperaturowej;
· inwestycje aparaturowe i produkcyjne.